迅立光电公司董事长、国家“千人计划”特聘专家邓勋明博士说：“能够实现首台国产高效perc电池二合一量产设备的研发和制作，是迅立光电团队和我们的合作方天合光能的技术团队共同努力的结果。感谢天合光能与我们的合作，共同为重大设备的国产化努力。”

由于采用射频pecvd工艺，迅立设备能够有效的控制等离子体的活性分子和离子的分布，从而制作高质量的四面体氧化铝薄膜。迅立光电的pecvd设备制作的氧化铝仅需10nm的薄膜就可以实现晶硅电池的有效背面钝化。有效的超薄氧化铝钝化不仅可以实现高产能（1.2平方米的pecvd电极可以实现每小时超过6000硅片的产能），又可以大大提高三甲基铝的使用率。

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迅立光电自主研制开发的高效perc电池“二合一”板式pecvd镀膜设备

昆山迅立光电设备有限公司是由国家“千人计划”特聘专家邓勋明博士和江苏省创新创业人才徐立微博士带领团队在昆山创办的。公司从事高端真空镀膜设备的研发和制造，这些设备可广泛用于光伏、平板显示、硬膜涂层，锂电池及半导体行业功能性材料的镀膜和表面改性。 光伏行业用的perc电池镀膜设备是公司目前主推的产品之一。公司得到了江苏省科技成果转化专项资金项目的支持。公司团队获得了江苏省创新创业团队和国务院侨办重点华侨华人创业团队的荣誉。公司团队的核心成员中有国家“千人计划”特聘专家，江苏省双创人才，昆山市双创人才，美国博士，和李政道cuspea项目学者。核心团队有长期在美国和德国等地从事真空镀膜设备的相关经历。迅立光电是一家集美国、德国和中国的专家于一体的高端真空镀膜设备的研发和制造商。

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迅立光电拥有国际领先的技术和工艺。公司积极寻找战略合作伙伴谋求共同发展，尽快抓住机遇、扩大规模、和占领市场。公司产品除了用于perc电池的背钝化沉积设备，公司还研制开发了制造异质结hit电池的量产设备。其造价比同产能的进口设备降低一半以上。迅立光电的“多合一”pecvd 设备可以有效地用于有机发光二极管（oled）平板显示的阻水阻氧隔膜，该隔膜的制造设备目前完全依赖进口，是制约国产oled显示面板大规模发展的瓶颈之一。中国的平板显示行业和半导体行业应该积极将核心设备国产化，减少对国外设备行业的高度依赖。

昆山迅立光电设备有限公司（迅立光电），一家拥有国际领先技术的、集研发、设计、工艺、制造、销售、和服务为一体的高端真空镀膜设备供应商，今天在上海snec光伏会展隆重展出了高效perc电池 “二合一”pecvd量产设备。迅立光电自主研发的perc设备是国际上首台成功使用射频（rf）等离子体增强化学气相沉积（pecvd）制作氧化铝和氮化硅双层薄膜的真空镀膜设备，代表国际最先进水平。迅立光电技术核心是pecvd和物理气相沉积（pvd）设备的设计和制造；高端pecvd/pvd设备也是半导体芯片制造行业的“核芯”设备之一，是最先进半导体设备技术水平的体现。迅立光电及其前身和关联公司自2002年在美国创办以来，在高集成pecvd/pvd设备制造方面积累了丰富的经验， 享有国际知名地位。

钝化发射极及背面接触（perc）电池是目前最新型的高效太阳能电池之一，已经替代铝背场电池而成为高效光伏电池的主流产品。perc设备通过在单晶或多晶电池的背面沉积超薄氧化铝和氮化硅双层薄膜（背钝化）实现对载流子复合中心的钝化而实现电池转化效率的提高。为了实现高效率和高良率的生产，光伏电池厂家迫切希望能将两层薄膜在同一台设备中一次完成 的“二合一”设备。目前，光伏设备市场上有昂贵的进口“二合一”perc设备，也有仅能制作氧化铝单膜的国产设备。迅立光电的pecvd量产perc设备是首台国产“二合一”的perc设备，也是国际上首台采用射频pecvd工艺的perc设备。

采用迅立光电的背钝化设备，迅立光电与南京日托光伏有限公司合作制作了高效mwt (metal wrap through)电池，在合作电池做了3次跨省“旅行”才完成之后，初次测试实现了高达20%的多晶电池转换效率，展示了rf pecvd 背钝化设备的巨大潜力。可以预期，在结合黑硅工艺后，多晶电池的转换效率还会有较大的提升。

与光伏行业的国际龙头企业天合光能有限公司合作，迅立光电成功地完成了量产pecvd背钝化设备的初步测试，并制作了高效率perc电池和完成了小批量示范生产。量产设备制作的单晶电池的平均转换效率达21.3% （最高效率达21.5%）。量产设备制作的多晶电池的平均转换效率达19.7% （最高效率达19.9%）。在进一步采用超薄氧化钝化界面层及其它工艺优化之后，公司预计转换效率还能得到进一步的大幅度提高，实现至少21.6%的单晶电池平均效率和20%的多晶电池平均效率。

迅力光电将于5月29日11时和16时，在上海snec光伏展的迅立光电展台（e4-690）召开新产品介绍会。诚挚邀请业界人士、新闻媒体及潜在合作伙伴参加并提出宝贵意见。

免责声明：

采用射频pecvd工艺还可以将最新的电池制作技术和工艺有效地集成到同一台真空镀膜设备中。例如，制作隧穿氧化钝化接触（topcon）电池所需要的氧化硅层和多晶硅掺杂层可以有效地集成到同一台设备，实现“多合一”的高集成高效率制造。